InGaAs 2.5Gbps PIN PD Chip For GPON - PD1050B、PD1050F
Features
Bandwidths up to 10GHz
High Responsivity
Low Capacitance
Low Dark Current
Top Illuminated planar structure
Diode on Semi Insulating Substrates
Anode/Cathode Pads on Front Side
Application
GPON (+Super TIA)
10G EPON
Long-haul optical networks
WDM, ATM
Fiber-optic Datacom
Specification (Tc=25℃)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Response range | λ | 900 | 1650 | nm | ||
Responsivity | R | 0.8 | 0.85 | A/W | λ=1310nm | |
0.9 | λ=1550nm | |||||
Dark current | ID | 0.08 | 0.5 | nA | VR=5V | |
Capacitance | C | 0.12 | 0.20 | pF | VR=2V, f=1MHz | |
Bandwidth | Bw | 10.0 | GHz | 3dB down, RL=50Ω |
產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務(wù)。
——產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列
