砷化鎵（GaAs）霍爾器件 - OS-HD-GA001
產(chǎn)品特性：
靈敏度高
線性度好
高可靠性
體積小
產(chǎn)品應(yīng)用：
流量檢測(cè)
位置/速度檢測(cè)與控制
變速驅(qū)動(dòng)
霍爾器件是一種利用半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)原理工作的一種磁敏感半導(dǎo)體器件，按半導(dǎo)體材料不同，分為Si、InSb和Si三種，其中Si霍爾器件和處理電路集成在同一芯片上可形成霍爾集成電路，可用于變速驅(qū)動(dòng)、無(wú)刷直流電機(jī)、電流監(jiān)控、功率感應(yīng)、運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)、流量感應(yīng)等技術(shù)領(lǐng)域，是家用電器、汽車(chē)電子、移動(dòng)通信終端、工業(yè)自動(dòng)控制、鐵路運(yùn)輸、電源管理等領(lǐng)域最重要的傳感器件之一，具有體積小，重量輕，功耗低，壽命長(zhǎng)，無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)磨損、安裝方便等特點(diǎn)。
| 參數(shù) | 最小值 | 標(biāo)準(zhǔn)值 | 最大值 | 測(cè)試條件 |
| 輸出霍爾電壓（mV） | 140 | 150 | 170 | B＝100G， Vc＝5V |
| 輸入阻抗（KOhm） | 1.0 | 1.25 | 1.5 | B＝0 G， Ic＝1mA |
| 輸出阻抗（KOhm） | 1.8 | 2.3 | 3.0 | B＝0 G， Ic＝1mA |
| 不平衡電壓（mV） | - | - | ±5 | B＝0 G， Vc＝1V |
| 溫度系數(shù)（%/℃） | - | - | -0.06 | B＝100G， Ic＝5mA T1=25℃,T2=125℃ |
| 絕緣阻抗（MOhm） | - | - | 2.0 | 100V |
產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。
——產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無(wú)線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列
