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850nm 56Gbaud PD Chip / 4x56Gbaud Array PD ChipGaAs 850nm 100Gbps PAM4 光探測(cè)器芯片 / 400Gbps PAM4 光探測(cè)器陣列芯片

INTRODUCTION介紹

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GaAs 850nm 100Gbps PAM4  /  850nm 400Gbps PAM4 1x4 Array PD Chip 


OS-GaAs5030   /   OS-GaAs4x5030


Features 

Bandwidth up to 36GHz

φ30um active area

Low capacitance


Application

100Gbps PAM4

400Gbps PAM4

400Gbps SFP+


Specification  (Tc=25℃, Single Die) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

840

850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

Dark current

ID


0.01

0.05

nA

VR=-5V

Capacitance

C


0.05

0.09

pF

VR=-2V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


36.0


GHz

VR=-2V

3dB down, RL=50Ω





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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長(zhǎng)的各種大面積光探測(cè)器芯片及一維和二維光探測(cè)器陣列

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