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10Gbps APD Chip For XG-PON OLTXG-PON OLT 用 10Gbps APD 雪崩光電二極管芯片

INTRODUCTION介紹

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10Gbps APD Chip For XG-PON OLT- OS-APD1030

Features 

   Data rates up to 10Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

  

Application

   XG-PON     OLT  
   Optical  Ethernet 


Specification  (Tc=25℃) 

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active   area diameter

D


30


μm


Response   range

λ

900


1650

nm


Breakdown   Voltage

VBR


30


V

Id=10uA

Responsivity

R


0.75


A/W

M=1

Temperature  

coefficient   of VBR



0.05


V/℃


Dark   current

ID



30.0

nA

VR=0.9*VBR

Capacitance

C


0.10

0.13

pF

VR=0.9*VBR

Bandwidth

Bw


7.5


GHz


Bond Pad Diameter


65

μm


Die size


220X220

μm



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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務(wù)。

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產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領(lǐng)域，并可提供不同響應(yīng)波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列

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